瑶光半导体成立一周年｜笃行致远，1往无前

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【概要描述】4月28日，瑶光半导体迎来了一周年庆典！

4月28日，瑶光半导体迎来了一周年庆典！作为第三代半导体制程设备研发企业，公司在技术创新、市场拓展与业务增长上已取得显著成就，独立自研的外延生长系统（MOCVD）和退火系统（RTP）已进入交付前的核心阶段。随着合肥新基地的建设启动，公司正迈向更广阔的发展前景，将在全球市场建立强大的竞争地位。

瑶光半导体的创始人王涛先生在周年庆典上回顾了公司的创立初衷和过去一年的快速发展，他强调了创新的重要性，并表示：“作为外延生长系统（MOCVD）和退火系统（激光退火/RTP）的研发先锋，瑶光半导体始终坚持ESDP正向研发流程，以技术创新为核心驱动，加大研发投入，建设高水平研发团队，并不断取得突破性技术成果。我们计划在现有的基础上，进一步开发具有领先水平的新一代MOCVD设备，以满足全球市场日益增长的需求。”

截止目前已涵盖了从闭环温度控制系统到惰性气体屏障技术等多项关键技术，为公司的技术创新和产品升级，提供了强有力的保障。

ETA-Semitech® MOCVD外延系统（正在通过EV工程验收阀点阶段）：自主研发星型多片式设计，用于生长高质量SiC/GaN外延膜，与国外主流MOCVD技术水平相当，并在自动化水平、控制系统等核心技术方面具有领先优势。

ETA-Semitech® 快速热处理系统（正在通过EV工程验收阀点阶段）：全自动双腔设计，使用高密度点阵式红外加热模块代替传统卤素灯，实现快速、均匀的热处理，显著降低生产成本，设备耐久度是卤素灯热源的10倍以上，发热模块寿命高达50,000小时。显著降低维护成本和停机时间，为半导体制造业提供高效解决方案。

ETA-Semitech® 激光退火系统（PP量产阀点）：采用激光合金化SiC表面的过渡金属，通过精确控制激光能量分布，有效提高设备与减薄工艺的兼容性，显著优化工艺流程，并提升器件性能。

瑶光半导体合肥基地（一塔）落地合肥经开区，项目总投资3.5亿。首期项目规划4000m²研发及生产基地，5月底投入运营后，将加速公司核心产品——快速热处理系统和MOCVD外延系统的研发及生产。新基地全面运营后，预计年产能将达到80台设备，年均产值可达1亿元人民币。

我们期待继续与各方携手合作，共同推动半导体行业的技术进步与市场发展。

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