ETA-Semitech® 脉冲激光退火系统

所属分类: 脉冲激光退火

应用于：离子掺杂激活、背面退火。适用于：硅基IGBT离子掺杂激活、碳化硅背面电极镀膜退火。

技术优势

• 最高可达12WPH；

• 能量转化效率＞91%，能量密度≤0.01J/cm²，位置误差≤1μm；

• 良率可达 99%,交付产品经过产线反复测试得出；

• 30微秒超低延时，完全自主开发，全自动极简操作。

功能创新

• 晶圆厚度测量+激光自动对焦技术：激光能量密度实时校准补偿、保证退火后的一致性；

• 气体屏障保护技术：退火时形保护晶圆，防止氧化和污染；

• 逐行双模式退火技术：支持全局退火和局部退火。（可对指定区域实现定制化退火）

产品参数
关键词:
- 半导体
- 欧姆接触
- 过渡金属