ETA-Semitech® MOCVD外延系统

所属分类: MOCVD 外延系统

应用于：生长SiC/GaN外延

技术优势

• 高品质6/8inch外延制备工艺

   浓度均匀性<2%
   厚度均匀性<1%
   缺陷密度<0.2/cm²
   生长速率>60μm/h

• 自研星型多片式反应腔

   单腔产能：9 x 6inch / 6 x 8inch
月产量＞2300 pcs @6inch；月产量＞1500 pcs @8inch
维护周期（PM）>7d

• 高效率、低成本、高可靠性的解决方案

双缓存Chamber同步冷却系统
高集成模块化设计
更低的单片外延成本

• 智能制造

自主开发 ETA RTOS 实时控制系统
自研监控系统，实时测控反馈
Cassette to Cassette

产品参数
关键词:
- 半导体
- 欧姆接触
- 过渡金属